『The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018) (窒化物国際学会)』へ出展します。

2018/10/15

2018年11月11日(日)− 16日(金)、石川県金沢市にて開催されます『The International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018) (窒化物国際学会)』へ出展します。

詳細は以下の通りです。

開催概要

開催日時 2018年11月11日(日)~16日(金)
*展示会は11月12日~16日となります
開催場所 石川県立音楽堂およびANAクラウンプラザホテル金沢(石川県金沢市)
ブース No

45

展示内容

GaNを中心とする窒化物半導体は優れたバンドギャップを有しており、次世代の省エネルギーを実現させる材料として注目されています。当社では GaNにおいて青色、深紫外LEDの光取出しの向上に最適な自社装置の開発はもとより次世代縦型GaNパワーデバイス向け研究開発受託加工を行っています。

当日は研究開発で効果を発揮するTEX-01を実機展示する予定です。

光取り出しに有効なナノ加工が簡単に加工できる自社開発
ナノインプリント【TEXシリーズ】

  • 光取出し効率向上!非真空、非加圧で加工が可能!
TEXシリーズ

どうぞ弊社ブースへお立ち寄りください。