『先進パワー半導体分科会 第7回研究会』併設展示会へ出展します。

2017/03/27

2017年4月12日(水)、東工大大岡山キャンパスにて開催される『先進パワー半導体分科会 第7回研究会』併設展示会へ出展しますので、ぜひお立ち寄りください。

詳細は以下の通りです。

開催概要

日時 2017 年 4 月 12 日(水)9:55〜17:00 (展示会 9:30〜16:00)
開催場所 東工大大岡山キャンパス 西 9 号館2階 ディジタル多目的ホール
(東京都目黒区大岡山 2-12-1,東急大井町線・目黒線「大岡山」駅下車 徒歩 5 分)
ブース No

6

展示内容

パワー半導体では一般的にSiCが採用されていますが、特に車載向けにおいて更なる高耐圧化・ 電力損失の低減が課題になっており、トレンチ型SiC MOSFETが解決策として有望視されています。 当社では、実装技術検証用のSiC基板加工試作が可能です。

ワイドギャップ半導体(SiC、GaN etc)研究開発向け受託加工

  • 表面電極(パターニング含む)、PNのイオン注入、裏面電極まで、ワンストップで対応することができます(1枚から対応)。
  • 6インチSiCパターン付き基板を展示します。

 

是非当社ブース(No.6)へお立ち寄りください。