『先進パワー半導体分科会 第3回講演会』併設展示会へ出展します。

2016/10/14

2016年11月8日(火)〜9日(水)、つくば国際会議場にて開催される『先進パワー半導体分科会 第3回講演会』併設展示会へ出展しますので、ぜひお立ち寄りください。

詳細は以下の通りです。

開催概要

会期 2016年11月8日(火)〜9日(水)
開催場所 つくば国際会議場
ブース No

14

展示内容

すでに注目されているパワー半導体にはSiCが採用されておりますが車載向けでは更に高耐圧化、電力損失の低減が注目されており、解決法として有望なトレンチ型SiC MOSFETがございます。当社では難易度の高いSiC基板へのトレンチ加工が可能となりました。

ワイドギャップ半導体(SiC、GaN etc)研究開発向け受託加工

  • 1枚から様々なケースの開発向け表面電極(パターニング含む)、PNのイオン注入、裏面電極まで ワンストップで対応することができます。
  • 当日はSiC パターニング基板を展示します。


是非当社ブース(No.14)へお立ち寄りください。