Wafer bonding
Wafer bonding services
Wafer bonding is an essential process in MEMS device fabrication.
We offer metal hybrid bonding (fusion bonding) by carrying out all steps from CMP to dicing.
We meet customers’ requirement by having various methods of bonding.
SUSS wafer bonder
(Model : SB8e)
Left : Plasma activation unit (Model : PL12)
Right : Aligne
Acoustic microscope
(Model : SONOSCAN)
Equipment specification
| Name of equipment | SB8e |
|---|---|
| Heating | ＜500℃ |
| Loading | ＜20KN |
| Vacuum | 5x10-5 mbar |
| Substrate size | Chip-size to φ8” |
| Alignment tolerance | ±1µm |
Bonding methods
Direct bonding
- Low temp plasma activation (Fusion bonding) Atmosphere to vacuum, 100 to 300℃
- Normal temperature bonding (Surface activated bonding) High vacuum Normal temperature
With adhesion layer
- Eutectic bonding (Solder bonding) : AuSn（290℃), AuSi（390℃), AuGe（430℃)
- Metal diffusion bonding : Au-Au（300℃), Al-Al（400℃), Cu-Cu（350℃)
- Glass flit bonding : Pb free (450℃)
- Adhesive bonding, Resin bonding : BCB（250℃), Polyimide（300℃), Epoxy（160℃), Silicone（200℃)
Resin bonding
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記入時注意事項
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また、区切り文字の前後に空白は入れないでください。
| 製品分類1 | Deposition, Photolithography, Etching|CMP processing |
|---|---|
| 製品分類2 | Bonding |
| プロセス分類 |
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| サムネイル画像 |
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| 説明文 |
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| リダイレクトURL |
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