ウェハ接合
ウェハ接合受託加工
MEMSデバイス製作において、ウエハ接合は重要な工程です。
当社では、CMP～ウエハ接合~薄片化まで一貫ラインで行うことで、メタルハイブリッド接合（フュージョン接合）も可能です。
様々な接合方法にてお客様のご要望にお応えいたします。
SUSS接合装置
（装置名 SB8e)
左：プラズマ活性化装置 （装置名 PL12)
右：アライナー
超音波顕微鏡
（装置名 SONOSCAN)
装置スペック
| 装置名 | SB8e |
|---|---|
| 加熱 | ＜500℃ |
| 荷重 | ＜20KN |
| 真空 | 5x10-5 mbar |
| サイズ | チップ～φ8” |
| アライメント精度 | ±1µm |
接合方法
直接接合
- 低温プラズマ活性化（フュージョン接合）：大気圧～真空 100～300℃
- 常温接合（表面活性化接合）：高真空 常温
接着層有り
- 共晶接合（はんだ接合）：AuSn（290℃）、AuSi（390℃）、AuGe（430℃）
- 金属拡散接合：Au-Au（300℃）、Al-Al（400℃）、Cu-Cu（350℃）
- ガラスフリット接合：Pbフリー（450℃）
- 接着剤接合、樹脂接合：BCB（250℃）、ポリイミド（300℃）、 エポキシ（160℃）、シリコーン（200℃）
樹脂接合
検索用入力欄
記入時注意事項
- テーブルの行列は変更しないでください。
- 分類が複数ある場合は、| ←半角の縦棒で区切って連続で入力してください。
また、区切り文字の前後に空白は入れないでください。
| 製品分類1 | 成膜・フォトリソ・エッチング|ＣＭＰ受託 |
|---|---|
| 製品分類2 | 接合 |
| プロセス分類 |
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| サムネイル画像 |
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| 説明文 |
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| リダイレクトURL |
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