パワーデバイス向け裏面電極成膜

ダイシング時チッピングが発生しないパワーデバイス向け裏面電極成膜

近年需要の高い IGBT や Diode といったパワーデバイス向けの裏面電極成膜を、試作から量産まで承ります。

特徴

ダイシング時チッピングが発生しないパワーデバイス向け裏面電極成膜 特徴
  • クリーンルーム内作業(Class 1000)[写真(1)]
  • DHFによる自然酸化膜除去(成膜加工直前に処理)[写真(2)]
  • ダイシングのチッピング発生しない膜密着力を実現
  • 薄厚ウェハへの対応(t=100µmの実績あり)

主な構造

ダイシング時チッピングが発生しないパワーデバイス向け裏面電極成膜 主な構造
  • Ti-Ni-Au
  • Ti-Ni-Ag
  • Al-1%Si   etc.

このようなお客様に

  • 裏面電極としての密着性やオーミックコンタクトの優れた膜が欲しい
  • 裏面電極の膜構成や膜厚を変えた実験を行いたい
  • 裏面電極の少量産の対応ができる委託先を探している

DHF洗浄試験(Si φ8”)

HF洗浄 条件検討項目

1. チャックによるウェハ損傷の有無

2. 裏面への薬液の回り込みの有無

3. HF洗浄効果の確認

1.チャックによるウェハ損傷の有無

チャックによるウェハ損傷の有無
使用装置 Polos MCD300 [写真]
チャック 方式 薄膜ウェハー専用のチャック使用
確認Si ウェハ 625µm厚、165µm厚、100µm厚

結果:3種厚さのSiウェハで、割れやクラックなどの発生は確認されなかった。

2.薬液裏面回り込みの有無

確認方法 スピンしているウェハに超純水を滴下し、回転停止後、ウェハ裏面に水滴がついていないか確認
スピン条件 A)超純水:当社洗浄条件で実施し、裏面を確認
B)DHF :当社洗浄条件で実施し、裏面を確認

 

結果:A、B、A+Bの3条件とも、当社洗浄条件で実施。裏面への薬液回り込みは確認されなかった。
*厚さ違いのウェハにおいても同様

3.HF洗浄の効果の確認

HF洗浄の効果の確認
確認方法 フッ酸洗浄の処理をしたウェハと、 未処理のウェハに 超純水を散布し、表面の撥水状態を確認する
使用 ウェハ 100µm厚と165µm厚のSiウェハ

結果:HF洗浄有り=疎水性 HF洗浄無し=親水性

4.酸化膜除去測定

酸化膜除去測定
試験ウェハ ・φ8"Siウェハ
・約100nm熱酸化膜付き
・ミラー面のみを洗浄
洗浄条件 当社条件
自然酸化膜除去量 ・平均エッチング量 3.2nm
・最高エッチング量 4.0nm(最外周)
・最低エッチング量 2.8nm(中心)

 

結果:一般的な自然酸化膜の膜厚定義:2.4nm、最低エッチング量2.8nm
以上の数値から、自然酸化膜は除去できたものと判断(要望により洗浄時間を追加することは可能)

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製品分類1 成膜・フォトリソ・エッチング
製品分類2 裏面電極
プロセス分類
サムネイル画像 パワーデバイス向け裏面電極成膜
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