成膜、フォトリソ、エッチングの受託・代行

豊富なターゲット在庫(約120種類)や成膜(スパッタリング、蒸着、CVD)、エッチング(ドライ、ウェット)加工ノウハウを蓄積している弊社の薄膜受託加工では、半導体・FPD・MEMS・太陽電池などの試作の受託によって、開発コスト削減やスピーディーな研究開発を実施するとともに、少量生産にも対応いたします。

一連の工程、もしくは一部の工程のみをお受けする事も可能です

 

効率良くタイムリーに活用できます

所有装置の用途が限定され、使用できないとき。

  • 各種の基礎データを得たいとき。
  • 設備を保有していないとき。
  • 薄膜材料、成膜材料を保有していないとき。
  • 試作生産を外注で行いたいとき。
  • 薄膜加工、ウェハ加工の一部(あるいは全部)の工程を依頼したいとき。
効率良くタイムリーに活用できます

加工サービス一覧

豊富な加工実績と各種加工方法にて、様々なご要望にお応え致します。

成膜

種類 製法、装置 備考 基板サイズ
絶縁膜 形成 熱酸化処理 ~10µm Φ2"~Φ300
AP-CVD(常圧酸化膜) SiO2、PSG、NSG など Φ4"、Φ5"
LP-CVD(低圧CVD) Poly Siなど Φ2"~Φ4"、Φ6"
PE-CVD(プラズマCVD) SiO2、SiN、a-Si、など Φ2"~Φ8"
金属膜 絶縁膜 形成 スパッタリング(PVD) 金属、合金、酸化膜、窒化膜、 特殊材料など Φ2"~Φ450、~650 x 950
蒸着 金属、合金、酸化膜、窒化膜、 特殊材料など Φ2"~Φ300、~300 x 360
電解・無電解メッキ 電解メッキ:Ni、Cu、Au、SnAg ~Φ8"、角基板
電解・無電解メッキ 無電解メッキ:Ni、Cu、Au ~Φ8"、角基板

 

パターニング

種類 製法、装置 備考 基板サイズ
フォトリソ 加工
(レジスト塗布、 露光、現像)
スピンコーター ポジレジスト、ネガレジスト Φ2"~Φ8"
コンタクトアライナー 加工能力 3µm以上 Φ2"~Φ8"
両面アライナー(g線) 加工能力 1µm以上 Φ4"
ステッパー(i線) 加工能力 0.5µm以上 Φ4"、Φ6"
ナノインプリント 転写レジスト(ナノオーダー) 要相談
EB描画 加工能力 50nm以上 ~Φ6"
リフトオフ リフトオフ 加工能力 5µm以上 Φ2"~Φ8"

 

エッチング

種類 製法、装置 備考 基板サイズ
ドライエッチング 平行平板RIE Siエッチング 石英エッチング Φ2"~Φ8"
ICP-RIE Siエッチング 石英エッチング Φ4"、Φ6"
Si Deep-RIE Si(貫通) Φ2"~Φ6"
犠牲層エッチング Si、SiO2 Φ2"~Φ6"
メタルエッチング Al、Al系 Φ2"~Φ4"
ウェットエッチング TMAH、KOH 各種材質にあったエッチング液を選択 Φ2"~Φ8"
HF 各種材質にあったエッチング液を選択 Φ2"~Φ8"
各種金属膜エッチング 各種材質にあったエッチング液を選択 Φ2"~Φ8"

イオン注入

種類 製法、装置 備考 基板サイズ
イオン注入 中電流イオン注入
高エネルギーイオン注入
60種以上のドーピングが可能 Φ3"~Φ6"
アニール 高温高速アニール 加熱温度MAX1800℃ ~Φ8"

接合

種類 製法、装置 備考 基板サイズ
基板接合 陽極接合 ガラス+シリコンの接合 ~Φ8"
表面活性化接合 異種基材の接合 要相談

研磨

種類 製法、装置 備考 基板サイズ
ウェハ研磨 CMP 金属膜:Au、Pt、Cu等 Φ2"~Φ300、 角基板
ウェハ研磨 CMP 酸化膜:TEOS、SiO2 Φ2"~Φ300、 角基板

分析

種類 製法、装置 備考 基板サイズ
表面分析 SIMS、ESCA、TEM 等 各種受託分析サービス 要相談
微少領域形能観察 SIMS、ESCA、TEM 等 各種受託分析サービス 要相談
熱分析 SIMS、ESCA、TEM 等 各種受託分析サービス 要相談

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記入時注意事項

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製品分類1 成膜・フォトリソ・エッチング
製品分類2
プロセス分類 試作・研究開発プロセス
サムネイル画像 成膜・フォトリソ・エッチング受託・代行
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