成膜、フォトリソ、エッチングの受託・代行

豊富なターゲット在庫（約120種類）や成膜（スパッタリング、蒸着、CVD）、エッチング（ドライ、ウェット）加工ノウハウを蓄積している弊社の薄膜受託加工では、半導体・FPD・MEMS・太陽電池などの試作の受託によって、開発コスト削減やスピーディーな研究開発を実施するとともに、少量生産にも対応いたします。

一連の工程、もしくは一部の工程のみをお受けする事も可能です。

効率良くタイムリーに活用できます

所有装置の用途が限定され、使用できないとき。

• 各種の基礎データを得たいとき。
• 設備を保有していないとき。
• 薄膜材料、成膜材料を保有していないとき。
• 試作生産を外注で行いたいとき。
• 薄膜加工、ウェハ加工の一部（あるいは全部）の工程を依頼したいとき。

加工サービス一覧

豊富な加工実績と各種加工方法にて、様々なご要望にお応えいたします。仕様等、不明な点がございましたらお気軽にご相談ください。

成膜

種類	製法、装置	備考	基板サイズ
絶縁膜 形成	熱酸化処理	～10μｍ対応可能	φ2”～φ12”
	ALD／ECRプラズマ	ALD：SiO2、Al2O3、HfO2,、TiO2／ ECRプラズマ：AlN、AlON、SiN、SiON	～φ8”（※）
	LP-CVD(低圧CVD)	Poly Siなど	φ2”～φ6”
	PE-CVD(プラズマCVD)	SiO2、SiN、a-Si、など	～φ12”（※）
金属膜 絶縁膜 形成	スパッタリング(PVD)	金属、合金、酸化膜、窒化膜、 特殊材料など	～φ12”、MAX□730 x 640mm以下（※）
	蒸着	金属、合金、酸化膜、窒化膜、 特殊材料など	～φ12”（※）
	電解・無電解メッキ	電解メッキ：Ni、Cu、Au、SnAg 無電解メッキ：Ni、Cu、Au	～φ12”（※）

 ※チップ基板、角形基板、定形外等対応可能、詳細はご相談ください。

パターニング

種類	製法、装置	備考	基板サイズ
フォトリソ 加工 （レジスト塗布、 露光、現像）	フォトマスク	各種対応（当社手持ちマスク有）	～φ12”
	スピンコーター	ポジレジスト、ネガレジスト	～φ12”（※）
	スプレー塗布	ポジレジスト、ネガレジスト	～φ6”（※）
	コンタクトアライナー	加工能力 3µm以上	～φ12”（※）
	両面アライナー	加工能力 3µm以上	φ4”～φ8"
	ステッパー(i線)	加工能力 0.5µm以上	φ2”～φ12”
	ナノインプリント	転写レジスト（ナノオーダー）	要相談
	EB描画	加工能力 50nm以上	～Φ6"
リフトオフ	リフトオフ	加工能力 5µm以上	～φ8”（※）

 ※チップ基板、角形基板、定形外等対応可能、詳細はご相談ください。

エッチング

種類	製法、装置	備考	基板サイズ
ドライエッチング	平行平板RIE	Siエッチング　石英エッチング	～φ8”（※）
	ICP-RIE	Siエッチング　石英エッチング	φ4”、φ6”
	Si Deep-RIE	Si（貫通）	φ4”、φ6”
	メタルエッチング	Al、Al系、GaNなど	～φ6”（※)
ウェットエッチング	TMAH、KOH	各種材質にあったエッチング液を選択	～φ12”（※）
	HF	各種材質にあったエッチング液を選択	～φ12”（※）
	各種金属膜エッチング	各種材質にあったエッチング液を選択	～φ12”（※）

※チップ基板、角形基板、定形外等対応可能、詳細はご相談ください。

イオン注入

種類	製法、装置	備考	基板サイズ
イオン注入	中電流イオン注入 高エネルギーイオン注入	60種以上のドーピングが可能	～φ12”（※）
アニール	高温高速アニール	加熱温度MAX1800℃	～φ6”（※)

※チップ基板、角形基板、定形外等対応可能、詳細はご相談ください

接合

種類	製法、装置	備考	基板サイズ
基板接合	陽極接合	ガラス＋シリコンの接合	～φ6”（※)
	常温（表面活性化）接合	異種基材の接合も可能	～φ12”（※）

※チップ基板、角形基板、定形外等対応可能、詳細はご相談ください

研磨

種類	製法、装置	備考	基板サイズ
ウェハ研磨	CMP	金属膜：Au、Pt、Cu等 酸化膜：TEOS、SiO2等	～φ12”（※）
	BG・エッジ加工	各種材料。ベベル、オリフラ研磨（くり抜き加工も可）	φ2"～φ12"

※チップ基板、角形基板、定形外等対応可能、詳細はご相談ください

ダイシング

種類	製法、装置	備考	基板サイズ
ダイシング	ブレードダイシング ステルスダイシング	各種材料にあわせた条件での処理	～φ12”（※）

※チップ基板、角形基板、定形外等対応可能、詳細はご相談ください。