成膜、フォトリソ、エッチングの受託・代行

豊富なターゲット在庫（約120種類）や成膜（スパッタリング、蒸着、CVD）、エッチング（ドライ、ウェット）加工ノウハウを蓄積している弊社の薄膜受託加工では、半導体・FPD・MEMS・太陽電池などの試作の受託によって、開発コスト削減やスピーディーな研究開発を実施するとともに、少量生産にも対応いたします。

一連の工程、もしくは一部の工程のみをお受けする事も可能です。

効率良くタイムリーに活用できます

所有装置の用途が限定され、使用できないとき。

• 各種の基礎データを得たいとき。
• 設備を保有していないとき。
• 薄膜材料、成膜材料を保有していないとき。
• 試作生産を外注で行いたいとき。
• 薄膜加工、ウェハ加工の一部（あるいは全部）の工程を依頼したいとき。

加工サービス一覧

豊富な加工実績と各種加工方法にて、様々なご要望にお応え致します。

成膜

種類	製法、装置	備考	基板サイズ
絶縁膜 形成	熱酸化処理	～10µm	Φ2"～Φ300
	AP-CVD(常圧CVD)	SiO2、PSG、NSG など	Φ4"、Φ5"
	LP-CVD(低圧CVD)	Poly Siなど	Φ2"～Φ4"、Φ6"
	PE-CVD(プラズマCVD)	SiO2、SiN、a-Si、など	Φ2"～Φ8"
金属膜 絶縁膜 形成	スパッタリング(PVD)	金属、合金、酸化膜、窒化膜、 特殊材料など	Φ2"～Φ450、～650 x 950
	蒸着	金属、合金、酸化膜、窒化膜、 特殊材料など	Φ2"～Φ300、～300 x 360
	電解・無電解メッキ	電解メッキ：Ni、Cu、Au、SnAg	～Φ8"、角基板
	電解・無電解メッキ	無電解メッキ：Ni、Cu、Au	～Φ8"、角基板

 

パターニング

種類	製法、装置	備考	基板サイズ
フォトリソ 加工 （レジスト塗布、 露光、現像）	スピンコーター	ポジレジスト、ネガレジスト	Φ2"～Φ8"
	コンタクトアライナー	加工能力 3µm以上	Φ2"～Φ8"
	両面アライナー(g線)	加工能力 1µm以上	Φ4"
	ステッパー(i線)	加工能力 0.5µm以上	Φ4"、Φ6"
	ナノインプリント	転写レジスト（ナノオーダー）	要相談
	EB描画	加工能力 50nm以上	～Φ6"
リフトオフ	リフトオフ	加工能力 5µm以上	Φ2"～Φ8"

 

エッチング

種類	製法、装置	備考	基板サイズ
ドライエッチング	平行平板RIE	Siエッチング　石英エッチング	Φ2"～Φ8"
	ICP-RIE	Siエッチング　石英エッチング	Φ4"、Φ6"
	Si Deep-RIE	Si（貫通）	Φ2"～Φ6"
	犠牲層エッチング	Si、SiO2	Φ2"～Φ6"
	メタルエッチング	Al、Al系	Φ2"～Φ４"
ウェットエッチング	TMAH、KOH	各種材質にあったエッチング液を選択	Φ2"～Φ8"
	HF	各種材質にあったエッチング液を選択	Φ2"～Φ8"
	各種金属膜エッチング	各種材質にあったエッチング液を選択	Φ2"～Φ8"

イオン注入

種類	製法、装置	備考	基板サイズ
イオン注入	中電流イオン注入 高エネルギーイオン注入	60種以上のドーピングが可能	Φ3"～Φ6"
アニール	高温高速アニール	加熱温度MAX1800℃	～Φ8"

接合

種類	製法、装置	備考	基板サイズ
基板接合	陽極接合	ガラス＋シリコンの接合	～Φ8"
	表面活性化接合	異種基材の接合	要相談

研磨

種類	製法、装置	備考	基板サイズ
ウェハ研磨	CMP	金属膜：Au、Pｔ、Cu等	Φ2"～Φ300、 角基板
ウェハ研磨	CMP	酸化膜：TEOS、SiO2等	Φ2"～Φ300、 角基板

分析

種類	製法、装置	備考	基板サイズ
表面分析	SIMS、ESCA、TEM 等	各種受託分析サービス	要相談
微少領域形能観察	SIMS、ESCA、TEM 等	各種受託分析サービス	要相談
熱分析	SIMS、ESCA、TEM 等	各種受託分析サービス	要相談