イオン注入

イオン注入受託加工:Si、SiC、GaNなど各種基板にもフレキシブルに対応

  • 基板は小片チップ~ φ12"基板まで対応
  • 注入可能なイオンは、60種類以上
  • 室温~パワーデバイス用途の600℃での高温注入も可能
  • 研究開発から、量産まで承ります
  • 1800℃まで対応可能な、高温高速アニールも保有。パワーデバイスに必要なイオン注入後の活性化処理も可能
  • 本番加工前に、シミュレーションデータの提示可能。注入後の形状観察、TEM、SIMS、RBS等の分析も対応

対応可能なイオン種

対応可能なイオン種

イオン注入装置の対応範囲

イオン注入装置の対応範囲

イオン注入装置仕様

- 8インチ以上をご希望の場合には、仕様をお申し付けください -

中電流イオン注入装置

200 KeV (B)
注入エネルギー 10 ~ 180KeV
主なイオン種 上記、イオン種対応表をご参照ください
装填方式 枚葉式自動搬送
セッティング 注入角 : 0~60° / 回転角 : 0~360° (回転注入、ステップ注入可能)
基板サイズ ~ Φ6"
温度 室温

 

200 KeV (C)
注入エネルギー 10 ~ 190KeV
主なイオン種 上記、イオン種対応表をご参照ください
装填方式 枚葉式手動搬送
セッティング 注入角 : 0又は7° (固定) / 回転角 : 0~360°
基板サイズ ~ Φ6" (高温はΦ3"まで)
温度 室温 ~ 600℃

 

400 KeV
注入エネルギー 30~350KeV (2価イオンの利用で700KeVまで加速可能)
主なイオン種 上記、イオン種対応表をご参照ください
装填方式 枚葉式自動搬送
セッティング 注入角 : 0~60° / 回転角 : 0~360°
基板サイズ ~ Φ6"
温度 室温 ~ 600℃

 

高エネルギーイオン注入装置

8 MeV
注入エネルギー 1.0 ~ 8 MeV
主なイオン種 Al、B、C、Fe(その他についてはご相談ください)
装填方式 枚葉式手動搬送
セッティング 注入角 : 0又は7° (固定) / 回転角 : 0~360°
基板サイズ ~ Φ6"
温度 室温 ~ 600℃

 

高温高速アニール装置(活性化アニール用途)

加熱温度 ~1800℃(最大加熱温度まで、約2分)
雰囲気 Ar 又は N2ガスフロー
基板種類 SiC、GaN 等
基板サイズ ~ Φ6" (小片サンプルも対応可能)

 

検索用入力欄

記入時注意事項

  • テーブルの行列は変更しないでください。
  • 分類が複数ある場合は、| ←半角の縦棒で区切って連続で入力してください。
    また、区切り文字の前後に空白は入れないでください。
製品分類1 成膜・フォトリソ・エッチング
製品分類2 イオン注入
プロセス分類
サムネイル画像 イオン注入
説明文
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