イオン注入

イオン注入受託加工：Si、SiC、GaN、Ga₂O₃など各種基板にもフレキシブルに対応

• 基板は小片チップ～ φ12"基板まで対応
• 注入可能なイオンは、60種類以上
• 室温～パワーデバイス用途の600℃での高温注入も可能
• 研究開発から、量産まで承ります
• 1800℃まで対応可能な、高温高速アニールも保有。パワーデバイスに必要なイオン注入後の活性化処理も可能
• 本番加工前に、シミュレーションデータの提示可能。注入後の形状観察、TEM、SIMS、RBS等の分析も対応

対応可能なイオン種

イオン注入装置の対応範囲

イオン注入装置仕様

- 8インチ以上をご希望の場合には、仕様をお申し付けください -

中電流イオン注入装置

200 KeV （B）

注入エネルギー	10 ～ 180KeV
主なイオン種	上記、イオン種対応表をご参照ください
装填方式	枚葉式自動搬送
セッティング	注入角 : 0～60° / 回転角 : 0～359° (回転注入、ステップ注入可能)
基板サイズ	～ Φ6"
温度	室温～600℃

 

200 KeV （C）

注入エネルギー	10 ～ 190KeV
主なイオン種	上記、イオン種対応表をご参照ください
装填方式	枚葉式手動搬送
セッティング	注入角 : 0又は7° (固定) / 回転角 : 0～359°
基板サイズ	～ Φ6" (高温はΦ3"まで)
温度	室温 ～ 600℃

 

400 KeV

注入エネルギー	10～350KeV (2価イオンの利用で700KeVまで加速可能)
主なイオン種	上記、イオン種対応表をご参照ください
装填方式	枚葉式自動搬送
セッティング	注入角 : 0～60° / 回転角 : 0～359°
基板サイズ	～ Φ6"
温度	室温 ～ 600℃

 

高エネルギーイオン注入装置

8 MeV

注入エネルギー	1 ～ 8 MeV
主なイオン種	Al、B、C、P、N
装填方式	枚葉式手動搬送
セッティング	注入角 : 0又は7° (固定) / 回転角 : 0～359°
基板サイズ	～ Φ6"
温度	室温 ～ 600℃

 

12インチ対応注入装置

注入エネルギー	5 ～ 750 keV（3価利用）
主なイオン種	B、P（その他要相談）
装填方式	枚葉式手動装填
セッティング	注入角 : 0～60° / 回転角 : 0～359°
基板サイズ	Φ12"（その他要相談）
温度	室温

 

高温高速アニール装置（活性化アニール用途）

加熱温度	～1800℃（最大加熱温度まで、約2分）
雰囲気	Ar 又は N2ガスフロー
基板種類	Si、SiC、GaN 等
基板サイズ	～ Φ6" (小片サンプルも対応可能)