フォトリソ エッチング加工

エッチング受託加工:フォトリソ、RIE/ICP/ウェットエッチングのご案内

エッチング受託加工:フォトリソ、RIE/ICP/ウェットエッチングのご案内

協同インターナショナルの提供する半導体フォトリソグラフィー・エッチング受託加工サービスは、開発コストや開発スピードの負担を低減させ、製品開発の積極的支援を行っております。

回路形成/テストパターン製作/表面改質/評価テスト/条件確認/と言った様々な要求に対してRIEやウェットエッチング、イオンミリングの技術で対応いたします。
また近年のパターンに求められる深堀りやナノインプリント技術に必要な型の作成にはICPやD-RIEで対応いたします。更に膜形成やエッチング以外にも各種基板の提供から露光やアッシングプロセスに至るまで広範囲にわたって微細加工技術を支援いたします。

対応可能なフォトリソ、エッチング加工

フォトリソグラフィ

  • コンタクトアライナ(最小露光寸法 3µm)
  • i線ステッパー(最小露光寸法 0.5µm)
  • EB描画(最小露光寸法 50nm)
フォトリソグラフィ

エッチング

  • ドライエッチング(RIE、ICP)
  • ウエットエッチング(酸、アルカリ系 各種)
エッチング

フォトリソグラフィ・エッチング 加工一例

配線パターン Al、Cu、Au、Ag、ITO等
絶縁膜パターン SiO2、SiN等
レジストパターン ポジ、ネガ、永久レジスト等
MEMS加工 等方、異方性エッチングによる立体形状
モールド Si、石英、樹脂等
流体チップ 等 2液混合、十字路、蛇行形状等

 

加工例(1):φ1µmピラーパターン(アスペクト17)

加工例(1):φ1µmピラーパターン(アスペクト17) 
工程 備考
マスク膜形成 SiO2
レジスト塗布 ポジレジスト
露光 ステッパー
現像 TMAH 2.38%
RIEエッチング EXAM
レジスト剥離 有機溶剤
ICPエッチング SID-1246
酸化膜除去 HF

加工例(2):Cuパターン 

加工例(2):Cuパターン 
工程 備考
レジスト塗布 ポジレジスト
露光 コンタクトアライナー
現像 TMAH 2.38%
ウェットエッチング 酸系エッチャント
レジスト剥離 有機溶剤

加工例(3):流体チップ

工程 備考 マスク膜形成 SiO2 レジスト塗布 ポジレジスト 露光 コンタクトアライナー 現像 TMAH 2.38% RIEエッチング EXAM レジスト剥離 有機溶剤 ICPエッチング SID-1246 酸化膜除去 HF

加工例(3):流体チップ
工程 備考
マスク膜形成 SiO2
レジスト塗布 ポジレジスト
露光 コンタクトアライナー
現像 TMAH 2.38%
RIEエッチング EXAM
レジスト剥離 有機溶剤
ICPエッチング SID-1246
酸化膜除去 HF

 

パターン加工の詳細をご提示いただき、各設備を駆使して、お客様のご希望仕様を実現していきます。 微細加工(サブミクロン、ナノサイズ等)も検討できます。

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製品分類1 成膜・フォトリソ・エッチング
製品分類2 フォトリソ・エッチング
プロセス分類
サムネイル画像 フォトリソ エッチング加工
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