エッチング装置仕様 / SEM写真

RIE

RIE装置写真
装置名 EXAM
エッチング方式 RIE (平行平板型、CCP)
基板サイズ Φ230mm以内
基板温度 20℃
電源 高周波 : 13.56MHz、max 500W
ガス種 SF6、CF4、CHF3、O2、Ar
その他 -

 

ICP

RIE装置写真
装置名 SID-1246
エッチング方式 RIE (バイアス独立型、ICP)
基板サイズ Φ4インチ又は6インチ
基板温度 -10℃~40℃
電源 高周波 : 13.56MHz、max 2kW
低周波 : 460kHz、max 300W
ガス種 SF6、CF4、CHF3、O2、Ar
その他 簡易ロードロック、静電チャック

 

SEM画像

ICPによるSi加工例SEM

ICPによるSi加工例

RIEによるSi加工例(上部レジスト付)SEM

RIEによるSi加工例(上部レジスト付)

ウェットエッチングによるガラス加工例SEM

ウェットエッチングによるガラス加工例

ICPによるSi加工例(お試しモールド)SEM

ICPによるSi加工例(お試しモールド)

酸化膜犠牲層エッチング加工例SEM

酸化膜犠牲層エッチング加工例

Si(シリコン)犠牲層エッチング加工例SEM

Si(シリコン)犠牲層エッチング加工例

酸化膜犠牲層エッチング加工例SEM

酸化膜犠牲層エッチング加工例加工断面

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製品分類1 成膜・フォトリソ・エッチング
製品分類2 フォトリソ・エッチング
プロセス分類
サムネイル画像 エッチング装置仕様 / SEM写真
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