ドライエッチング装置仕様 / SEM写真
RIE
| 装置名 | POEM |
|---|---|
| エッチング方式 | CCP-RIE(並行平板型) |
| 基板サイズ | Φ230mm以内 |
| 基板温度 | 20℃ |
| 電源 | 高周波 ： 13.56MHz、max 350W |
| ガス種 | SF6、CF4、CHF3、C4F8、O2、Ar |
| その他 | 破片サンプルもそのまま投入可 |
ICP
| 装置名 | SID-1246 |
|---|---|
| エッチング方式 | ICP-RIE（独立バイアス型） |
| 基板サイズ | Φ4インチ又は6インチ |
| 基板温度 | -10℃～20℃ |
| 電源 | 高周波 ： 13.56MHz、max 800W 低周波 ： 460kHz、max 200W |
| ガス種 | SF6、CF4、CHF3、O2、Ar |
| その他 | 非ボッシュプロセス、簡易ロードロック、静電チャック |
標準的なドライエッチング加工例
µmサイズのラインパターン
nmサイズのラインパターン
µmサイズのピラーパターン
nmサイズのピラーパターン
特殊なドライエッチング加工例
針形状のSi
多段エッチング（流路用金型等）
等方ドライエッチング（浅）
等方ドライエッチング（深）
逆テーパーの修正エッチング加工
修正エッチング加工後
仕上がりを順テーパーにすることで、ナノインプリントなどの金型として離型性能が著しく向上（ナノインプリント用金型では必須の加工）