次世代パワーデバイス　研究開発向け受託加工サービス

1枚、単工程のみでも受託可能（チップなどにもフレキシブルな対応）

特徴

• 基板材料はSi、SiC、GaN、Ga2O3、ダイヤモンド等から選択可
• 各種基板に対し、最適な条件でパターニング（表面電極～P・Nイオン注入～裏面電極形成）加工をワンストップで行います。

成膜加工
スパッタ工程	表面電極/裏面電極用途のメタル/貴金属以外にも、窒化物など120種類の材料から選択可能
ALD/ECR プラズマ	パワーデバイスに適した薄膜ゲート絶縁膜膜 HfO2 、Al2O3 、SiO2 、TiO2 、AlON、SiONの対応が可能
CVD工程	PE-CVD、LP-CVDなど各手法に対応
高温・高エネルギーイオン注入加工／活性化アニール
イオン注入工程／RTA	パワーデバイスに適した条件で注入、活性化アニールまで一括対応 Φ6インチまで対応（チップ形状でも処理可能）
各種パターニング加工
フォト工程	アライナー、ステッパー、EB描画など要望に合わせた加工が可能
エッチング工程	ドライ（SiC基板、GaN基板へのトレンチ加工が可能）、ウェット
キープロセス
MO-CVD工程	GaNなど各種対応
CMP工程	SiC、GaN等の基板～デバイスまで最適なスラリー提案
接合工程	SiC、GaN等と異種基板など様々な接合
ダイシング工程	SiC、GaNそれぞれ専用のブレードで最適な加工が可能

SiC、GaN以外のGa₂O₃、ダイヤモンド基板などにも対応可能です。