CMP加工
CMP受託加工
CMPは機械研磨とは異なり、Chemicalの要素を生かし膜や基板を溶かしながら削る加工です。
材料の表面粗さを原子レベルで調節することができる上に、研磨剤（スラリー）の組成を変えることで同一基板上に存在する異種材料を同時に研磨したり、逆に任意の材料だけを選択的に研磨することもできます。 主に基板同士の直接接合前の表面粗さ改善や、TSV等の金属膜埋込み後の基板表面の凹凸調整に使われます。
SiパワーデバイスのCMP、MEMS接合前CMP、SiC、GaN等の難削材料の研磨、絶縁膜の段差解消等、用途は多岐に渡り、今やCMPは様々な分野で必要な技術となっています。
研磨実績
| メタル材料 | Au、Ag、Rh、Ru、Cu、Co、CoPd、Al、W、Ta、TaN、Ti、TiN、Ni、Ni-P、Ni-Fe、Pd、Cr etc. |
|---|---|
| 絶縁材料 | SiO2、TEOS、各種Polymer、Al2O3 etc. |
| 基板材料 | Si、SiC、GaN、Al2O3、Al2O3複合材料、Polymer、Glass、 LiTaO3、DLC、GaP、GaAs、InP etc |
基板サイズ：チップサイズ～300mm（φ12"）
*角型基板も対応可能
各種材料の表面粗さ一覧
導電性材料
| Ra | |
|---|---|
| Au | 0.163nm |
| Cu | 0.245nm |
| Al | 0.172nm |
| Ta | 0.102nm |
絶縁膜
| Ra | |
|---|---|
| SiO2 | 0.0752nm |
| SiN | 0.0824nm |
基板材料
| Ra | |
|---|---|
| Si | 0.0674nm |
| ガラス基板 | 0.12nm |
| SiC | 0.131nm |
上記以外にも各種材料に対応しています。
CMP加工例
弊社ではCMPにおいて、高い専門性を持ち、かつ関連工程も含めたトータルな提案をいたします
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| 製品分類1 | 成膜・フォトリソ・エッチング|ＣＭＰ受託 |
|---|---|
| 製品分類2 | ＣＭＰ |
| プロセス分類 |
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| サムネイル画像 |
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| 説明文 |
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| リダイレクトURL |
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