MEMS量産(MEMSファウンドリー)

スウェーデンのMEMSファウンドリーSilex Microsystems社との提携により、お客様デザインのMEMSデバイス量産サービスを提供します。

Silex Microsystems社についてSilex Microsystems

  • 自社製品を持たない、“Pure Play”なMEMSファウンドリー
  • 豊富なSi微細加工実績に基づき、独自構造VIAなどのパターン形成やウェハ接合など最適なプロセスや材料を提案いたします。
  • MEMS専用8インチ製造ライン。(12インチファブ計画中)
    加工設備一覧はこちらをご覧下さい。
  • 2000年の設立時より、これまで世界中のお客様と350を超えるプロジェクト実績。
  • 実績のある分野:ライフサイエンス、通信、IT、産業用途、科学技術用途、等。
  • 実績のあるアプリケーション:RF-MEMS、TSV、マイクロミラーアレイ、光スイッチ、インクジェットプリンタヘッド、カンチレバー、圧力センサ、加速度センサ、等。
    実績の詳細はこちらをご覧下さい。

独自技術① Si電極TSV (Sil-Via™)

低抵抗Si(シリコン)ウェハをDRIE加工、絶縁加工による、母材と同じSiのVIA電極を持つTSVウェハです(メタル不要)。
本技術を採用する事により、低コスト&高歩留まりの実装パッケージングが可能となります。

  1. オールSi構造のため熱膨張差が少ない、メタル電極埋め込みが不要
  2. 高温耐久性(~1100℃)、真空封止パッケージングが可能
  3. CMOSデバイスとMEMSデバイスのウエハレベルでの実装・パッケージングが可能
  4. 高真空封止が必要な、加速度センサ(Gセンサ)、角速度センサ(ジャイロ)、圧力センサに最適
Sil-Via

独自技術② Cu電極TSV (Met-Cap™)

独自構造のCu電極TSVを開発。低抵抗で高歩留りの生産を実現しています。
RFMEMS用のウェハレベルパッケージングに最適なTSV基板です。

  1. 独自の中空構造により、Cu-TSVの標準プロセスを構築
  2. RF MEMSのウェハレベルキャッピングに適応可能
  3. ウエハ厚 400μmで、Via抵抗<25mΩを実現
  4. 1.33Pa(Getter有)、133.32Pa(Getter無)の気密封止可能
  5. ビア歩留り率99.9%以上
Cu電極TSV (Met-Cap™)

独自技術③ ガラスビア

昨今のモバイル機器やタブレット端末の薄型化のトレンドから、ガラスビア技術を開発しました。

  1. 100µm厚程度の薄型ガラスビア技術を開発。
  2. 優れた電気絶縁性、低誘電体性、高い気密性を実現。
  3. 優れた電力損失特性によりRF-MEMSのWLPに適用可能。
ガラスVIA

独自技術④ PZT膜生産技術

スパッタ法によるPZT生産技術を導入しました。
アクチュエータ、エナジーハーベスト、センシング向けの高品質PZT膜を提供します。

ガラスVIA

 

 

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製品分類1 MEMS
製品分類2 MEMS量産
プロセス分類
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