MEMS試作ソリューション

MEMS（Micro Electro Mechanical Systems）市場は今後成長の見込める分野の一つです。
自動車のエアバッグ、ゲーム・スマートフォンなどに使われる加速度センサーや、プロジェクターなどに使われるミラーデバイス、または流体チップやDNA研究などのライフサイエンス分野へもMEMS技術の応用は広がっています。

MEMS技術の主要な部分は既存の半導体製造技術。当社では、これまで培ってきた半導体製造技術を利用したMEMS試作ソリューションを提供します。
応用分野が増えるに連れMEMS独特の加工プロセスも増えており、試作はよりチャレンジングになってきています。
様々なご要望にお応えすべく、新たなプロセスの開拓や創意工夫の提案でMEMS試作をサポートします。

MEMS試作・応用事例

• プリントヘッド
• デジタルミラーデバイス（DMD）
• 圧力センサー
• DNAチップ
• 光スイッチ
• AFM用カンチレバー
• 流路モジュール
• 光変調器
  …その他
  

加工サービス一覧

豊富な加工実績と各種加工方法にて、様々なご要望にお応えします。

成膜

種類	製法、装置	備考	基板サイズ
絶縁膜 形成	熱酸化処理	～10µm	Φ2"～Φ300
	AP-CVD(常圧CVD)	SiO2、PSG、NSG など	Φ4"、Φ5"
	LP-CVD(低圧CVD)	Poly Siなど	Φ2"～Φ4"、Φ6"
	PE-CVD(プラズマCVD)	SiO2、SiN、a-Si、など	Φ2"～Φ8"
金属膜 絶縁膜 形成	スパッタリング(PVD)	金属、合金、酸化膜、窒化膜、 特殊材料など	Φ2"～Φ450、～650 x 950
	蒸着	金属、合金、酸化膜、窒化膜、 特殊材料など	Φ2"～Φ300、～300 x 360
	電解・無電解メッキ	電解メッキ：Ni、Cu、Au、SnAg	～Φ8"、角基板
	電解・無電解メッキ	無電解メッキ：Ni、Cu、Au	～Φ8"、角基板

 

パターニング

種類	製法、装置	備考	基板サイズ
フォトリソ 加工 （レジスト塗布、 露光、現像）	スピンコーター	ポジレジスト、ネガレジスト	Φ2"～Φ8"
	コンタクトアライナー	加工能力 3µm以上	Φ2"～Φ8"
	両面アライナー(g線)	加工能力 1µm以上	Φ4"
	ステッパー(i線)	加工能力 0.5µm以上	Φ4"、Φ6"
	ナノインプリント	転写レジスト（ナノオーダー）	要相談
	EB描画	加工能力 50nm以上	～Φ6"
リフトオフ	リフトオフ	加工能力 5µm以上	Φ2"～Φ8"

 

エッチング

種類	製法、装置	備考	基板サイズ
ドライエッチング	平行平板RIE	Siエッチング　石英エッチング	Φ2"～Φ8"
	ICP-RIE	Siエッチング　石英エッチング	Φ4"、Φ6"
	Si Deep-RIE	Si（貫通）	Φ2"～Φ6"
	犠牲層エッチング	Si、SiO2	Φ2"～Φ6"
	メタルエッチング	Al、Al系	Φ2"～Φ４"
ウェットエッチング	TMAH、KOH	各種材質にあったエッチング液を選択	Φ2"～Φ8"
	HF	各種材質にあったエッチング液を選択	Φ2"～Φ8"
	各種金属膜エッチング	各種材質にあったエッチング液を選択	Φ2"～Φ8"

イオン注入

種類	製法、装置	備考	基板サイズ
イオン注入	中電流イオン注入 高エネルギーイオン注入	60種以上のドーピングが可能	Φ3"～Φ6"
アニール	高温高速アニール	加熱温度MAX1800℃	～Φ8"

接合

種類	製法、装置	備考	基板サイズ
基板接合	陽極接合	ガラス＋シリコンの接合	～Φ8"
	表面活性化接合	異種基材の接合	要相談

研磨

種類	製法、装置	備考	基板サイズ
ウェハ研磨	CMP	金属膜：Au、Pｔ、Cu等	Φ2"～Φ300、 角基板
ウェハ研磨	CMP	酸化膜：TEOS、SiO2等	Φ2"～Φ300、 角基板

分析

種類	製法、装置	備考	基板サイズ
表面分析	SIMS、ESCA、TEM 等	各種受託分析サービス	要相談
微少領域形能観察	SIMS、ESCA、TEM 等	各種受託分析サービス	要相談
熱分析	SIMS、ESCA、TEM 等	各種受託分析サービス	要相談