MEMS試作ソリューション

MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)市場は今後成長の見込める分野の一つです。
自動車のエアバッグ、ゲーム・スマートフォンなどに使われる加速度センサーや、プロジェクターなどに使われるミラーデバイス、または流体チップやDNA研究などのライフサイエンス分野へもMEMS技術の応用は広がっています。

MEMS技術の主要な部分は既存の半導体製造技術。当社では、これまで培ってきた半導体製造技術を利用したMEMS試作ソリューションを提供します。
応用分野が増えるに連れMEMS独特の加工プロセスも増えており、試作はよりチャレンジングになってきています。
様々なご要望にお応えすべく、新たなプロセスの開拓や創意工夫の提案でMEMS試作をサポートします。

MEMS試作・応用事例

  • プリントヘッド
  • デジタルミラーデバイス(DMD)
  • 圧力センサー
  • DNAチップ
  • 光スイッチ
  • AFM用カンチレバー
  • 流路モジュール
  • 光変調器
    …その他

加工サービス一覧

豊富な加工実績と各種加工方法にて、様々なご要望にお応えします。

成膜

種類 製法、装置 備考 基板サイズ
絶縁膜 形成 熱酸化処理 ~10µm Φ2"~Φ300
AP-CVD(常圧酸化膜) SiO2、PSG、NSG など Φ4"、Φ5"
LP-CVD(低圧CVD) Poly Siなど Φ2"~Φ4"、Φ6"
PE-CVD(プラズマCVD) SiO2、SiN、a-Si、など Φ2"~Φ8"
金属膜 絶縁膜 形成 スパッタリング(PVD) 金属、合金、酸化膜、窒化膜、 特殊材料など Φ2"~Φ450、~650 x 950
蒸着 金属、合金、酸化膜、窒化膜、 特殊材料など Φ2"~Φ300、~300 x 360
電解・無電解メッキ 電解メッキ:Ni、Cu、Au、SnAg ~Φ8"、角基板
電解・無電解メッキ 無電解メッキ:Ni、Cu、Au ~Φ8"、角基板

 

パターニング

種類 製法、装置 備考 基板サイズ
フォトリソ 加工
(レジスト塗布、 露光、現像)
スピンコーター ポジレジスト、ネガレジスト Φ2"~Φ8"
コンタクトアライナー 加工能力 3µm以上 Φ2"~Φ8"
両面アライナー(g線) 加工能力 1µm以上 Φ4"
ステッパー(i線) 加工能力 0.5µm以上 Φ4"、Φ6"
ナノインプリント 転写レジスト(ナノオーダー) 要相談
EB描画 加工能力 50nm以上 ~Φ6"
リフトオフ リフトオフ 加工能力 5µm以上 Φ2"~Φ8"

 

エッチング

種類 製法、装置 備考 基板サイズ
ドライエッチング 平行平板RIE Siエッチング 石英エッチング Φ2"~Φ8"
ICP-RIE Siエッチング 石英エッチング Φ4"、Φ6"
Si Deep-RIE Si(貫通) Φ2"~Φ6"
犠牲層エッチング Si、SiO2 Φ2"~Φ6"
メタルエッチング Al、Al系 Φ2"~Φ4"
ウェットエッチング TMAH、KOH 各種材質にあったエッチング液を選択 Φ2"~Φ8"
HF 各種材質にあったエッチング液を選択 Φ2"~Φ8"
各種金属膜エッチング 各種材質にあったエッチング液を選択 Φ2"~Φ8"

イオン注入

種類 製法、装置 備考 基板サイズ
イオン注入 中電流イオン注入
高エネルギーイオン注入
60種以上のドーピングが可能 Φ3"~Φ6"
アニール 高温高速アニール 加熱温度MAX1800℃ ~Φ8"

接合

種類 製法、装置 備考 基板サイズ
基板接合 陽極接合 ガラス+シリコンの接合 ~Φ8"
表面活性化接合 異種基材の接合 要相談

研磨

種類 製法、装置 備考 基板サイズ
ウェハ研磨 CMP 金属膜:Au、Pt、Cu等 Φ2"~Φ300、 角基板
ウェハ研磨 CMP 酸化膜:TEOS、SiO2 Φ2"~Φ300、 角基板

分析

種類 製法、装置 備考 基板サイズ
表面分析 SIMS、ESCA、TEM 等 各種受託分析サービス 要相談
微少領域形能観察 SIMS、ESCA、TEM 等 各種受託分析サービス 要相談
熱分析 SIMS、ESCA、TEM 等 各種受託分析サービス 要相談

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製品分類1 MEMS
製品分類2 MEMS試作
プロセス分類
サムネイル画像 MEMS試作
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