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パワーデバイス用裏面電極成膜

近年需要の高いIGBTやDiodeと言ったパワーデバイス用の裏面電極の受託を請け負います。
単純な膜構成としてTi/Ni/Auのターゲットについては所有しており、かつ裏面電極で問題になるダイシング時のチッピングを回避するべくJIS規格での密着性試験をクリアしております。

たとえば
  • 裏面電極としての密着性を備えた膜がほしい。
  • 裏面電極の膜構成や膜厚を変えた実験が行いたい。
  • 裏面電極の少量産の対応ができる設備を探している。

このような要望があればぜひ一度ご相談ください。
裏面電極だけでなく、裏面電極の周辺技術であるウエハの薄片加工や薄膜の平坦化加工(CMP)、アニール加工などの対応も可能です。

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TEL:044-852-7575(電子部)
FAX:044-854-1979(代)
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〒216-0033
神奈川県川崎市宮前区宮崎2-10-9
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