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絶縁膜（パッシベーション膜）特性
C-V測定
C-V測定結果まとめ
| 試料番号 | 標準Ⅰ | 標準Ⅱ | 標準Ⅲ | レジスト用 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 膜厚 (nm) |
(1) 25～35mm | 213 | 210 | 105 | 185 |
| (2) 50～60mm | 215 | 210 | 108 | 187 | |
| (3) 75～85mm | 213 | 209 | 105 | 183 | |
| (4) 100～110mm | 189 | 189 | 92 | 168 | |
| 比誘電率 | (1) 25～35mm | 3.88 | 4.03 | 3.93 | 3.92 |
| (2) 50～60mm | 3.82 | 3.95 | 4.01 | 4.02 | |
| (3) 75～85mm | 3.94 | 4.13 | 4.03 | 3.90 | |
| (4) 100～110mm | 3.93 | 3.96 | 4.06 | 3.99 | |
| 誘電正接 tan |
(1) 25～35mm | 9.42E-03 | 8.19E-03 | 0.062 | 0.055 |
| (2) 50～60mm | 3.98E-02 | 2.61E-02 | 0.053 | 0.033 | |
| (3) 75～85mm | 4.17E-02 | 2.32E-02 | 0.059 | 0.032 | |
| (4) 100～110mm | 6.29E-03 | 2.35E-02 | 0.066 | 0.044 | |
- 膜厚および電極面積の測定誤差が3%程度とすると、比誘電率の測定結果の誤差範囲は±0.15程度である。
- 比誘電率は全て、石英の値とほぼ同じである。
- 誘電正接の試料間の差は小さく、標準試料（CVD-SiO2）と比べ、いずれも同程度である。
絶縁膜（パッシベーション膜）特性比較グラフ
I-V測定
I-V 標準Ⅰ、標準Ⅱ （TR6147：0～100V)
(1)、(2)とも110Vまでリーク電流の増加や絶縁破壊は発生しなかった。
I-V 標準Ⅰ、標準Ⅱ （HP4339A 1000Vmax)
I-V （HP6143：0～110V)
I-V測定結果まとめ
| 試料番号 | 標準Ⅰ | 標準Ⅱ | 標準Ⅲ | レジスト用 |
|---|---|---|---|---|
| (1) 25～35mm | 11.7 | 11.4 | 6.8 | 5.5 |
| (2) 50～60mm | 11.6 | 10.2 | 5.2 | 10.7 |
| (3) 75～85mm | 10.8 | 12.0 | 6.9 | 10.9 |
| (4) 100～110mm | 9.5 | 12.2 | 11.3 | 10.1 |
- 標準Ⅰ、標準Ⅱの各4箇所とも酸化珪素膜として良好な耐圧を示す。試料間で明確な差異は見られない。
- 標準Ⅲの(4)はSiO2としてほぼ良好な耐圧を示すが、(1)～(3)は耐圧が低い。
- レジスト用の(1)は耐圧が低いが、(2)～(4)は良好な耐圧を示す。
絶縁膜（パッシベーション膜）耐圧比較グラフ
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