- 協同インターナショナルHOME
- 電子MEMS
- 成膜・エッチング受託加工
- 各種基板手配
- 各種評価用膜付けウェハ・各種ウェハ対応表
各種評価用膜付けウェハ・各種ウェハ対応表
各種評価用膜付けウェハ
| 名称 | 膜構造 | 備考 |
|---|---|---|
| Th-OX | 熱酸化膜単層 | - |
| TEOS-OX | プラズマTEOS酸化膜単層 | - |
| HDP-OX | HDP酸化膜単層 | 熱処理有り |
| Cu | メッキCu シードCu(スパッタ) Taスパッタ 熱酸化膜 | Φ8"ノッチタイプのみ 熱処理有り |
| W | CVD W TiN(スパッタ) プラズマ酸化膜 | - |
| TiN | TiNスパッタ プラズマ酸化膜 | - |
| Ta | Ta(スパッタ) 熱酸化膜 | - |
| TaN | TaN(スパッタ) 熱酸化膜 | - |
| Poly-Si | LP Poly-Si | - |
| LP-SiN | LP Si3N4単層 | - |
| PE-SiN | プラズマSiN膜単層 | - |
| PE-SiO | プラズマSiO膜単層 | - |
| PE-SiON | プラズマSiON膜単層 | - |
| Low-K | SIOC, SIC 等 | - |
- ウェハサイズは原則Φ8インチノッチタイプ、Φ6インチオリフラタイプとなります。その他のサイズについてはお問合せください。
- 膜厚についてはご相談ください。また、これらの膜種を組み合わせた構造についても検討しますのでご相談ください。
- これらウェハのパターン形成についても承ります。
- 各サンプルはオプションでレーザーマーク可能です。必要時はご指定ください。
- バックグラインド加工についても必要に応じてご相談ください。
各種ウェハ対応表
| 材質 | 形状 |
|---|---|
| Si | Φ2" - Φ300 |
| 石英 | Φ2" - Φ300、角形状等 |
| テンパックス | Φ2" - Φ300、角形状等 |
| SiC | 6H-SiC Φ2"、4H-SiC Φ2" - Φ4" |
| サファイヤ | Φ2" - Φ6" |
| LiNbO3 | Φ3"、Φ4" |
| LiTaO3 | Φ3"、Φ4" |
| ZnO | Φ2" |
| MgO | Φ2" |
| SOI | Φ4"、Φ5"、Φ6" |
成膜・エッチング受託加工
各種基板手配
成膜受託加工サービス
- 成膜加工のご案内
- スパッタリング装置仕様
- ターゲット在庫表
- 受託解析・分析
- CVD 実績表
- 絶縁膜(パッシベーション膜)特性
- ITOスパッタ膜の透過率データ
- パワーデバイス用裏面電極成膜
- 常温スパッタリングによる高品質ITO、AZO成膜
- 薄膜リチウム二次電池向け成膜加工
イオン注入サービス
エッチング受託加工サービス
CMP受託加工
大学(研究室)支援サービス
TEL:044-852-7575(電子部)
FAX:044-854-1979(代)
株式会社 協同インターナショナル
〒216-0033
神奈川県川崎市宮前区宮崎2-10-9
FAX:044-854-1979(代)
〒216-0033
神奈川県川崎市宮前区宮崎2-10-9

