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受託解析・分析
成膜解析
各種材料(合成石英、シリコンウェーハー等)上に成膜された種々の材質の膜性状を最新分析装置で調査致します。
| 分析装置 | FE-SEM 超分解能電解放射SEM |
|---|---|
| 測定原理 | 試料表面に電子線を照射し、発生する2次電子像または反射電子像を観察します。 |
| 特徴 |
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| 適用分野 | 磁気ヘッド等の薄膜多層形成試料の断面層構造観察によるスパッタ工程品質管理等 |
| 分析装置 | µ－ESCA 走査型X線光電子分光分析器 |
|---|---|
| 測定原理 | 特定エネルギーのX線を試料表面に照射すると、極表面（深さ数nm）から元素毎に固有のエネルギーを持った光電子が放出されます。そのエネルギーと強度から元素の種類と量を特定します。さらに、元素の状態により光電子のエネルギーがわずかに変化する現象を利用して状態分析が可能です。 |
| 特徴 |
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| 適用分野 | 金属、半導体、無機、有機、高分子材料等 |
| 分析装置 | FE-AES 電解放射走査型オージェ電子分光分析装置 |
|---|---|
| 測定原理 | 電子ビームを試料表面に照射すると、極表面（深さ数ｎｍ）から元素毎に固有のエネルギーを持った オージェ電子が放出されます。そのエネルギーと強度から元素の種類と量を特定します。照射する電子ビームを細く絞ることで、最小40nm程度までの微小領域分析が可能です。 |
| 特徴 |
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| 適用分野 | 金属、半導体
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| 分析装置 | TOF-SIMS 飛行時間型二次イオン質量分析装置 |
|---|---|
| 測定原理 | 固体試料表面に微小に絞ったGa照射すると、スパッタリングによって試料最表面（深さ数Å程度）を構成する原子や分子がイオン化され、二次イオンとして放出される。この二次イオンを飛行時間型質量分析器により高分解能で測定します。 |
| 特徴 |
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| 適用分野 | 金属、半導体、無機、有機、高分子材料の最表面化学構造解析、元素・化学種の分布像、深さ方向分析
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超微量化学分析
各種材料(合成石英、シリコンウェーハー等)上に成膜された種々の材質の膜表面の不純物、膜中の微量不純物を最新分析装置で測定します。
| 分析装置 | GDMS グロー放電質量分析 |
|---|---|
| 測定原理 | 試料を陰極として希ガス中でグロー放電させ、スパッタリングされた試料表面の原子を放電プラズマ中でイオン化し、そのイオンを高分解能質量分析計で検出します。 |
| 特徴 |
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| 適用分野 |
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電子材料信頼性評価試験
各種材料(合成石英、シリコンウェーハー等)上に成膜された種々の材質の膜表面の不純物、膜中の微量不純物を最新分析装置で測定します。
| 試験名 | スクラッチ試験 | ホール特性評価 |
|---|---|---|
| 内容 | 薄膜の下地との密着性 | 半導体薄膜およびバルクのＰＮ判定・ キャリア濃度・移動度 |
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