イオン注入のご案内
- 注入可能なイオンは、60種類以上
- チップサイズ～ Φ6"基板まで対応
- 研究開発から、量産までお請けいたします。
- 1800℃まで対応可能な、高温高速アニールも保有。
イオン注入後の活性化処理も可能。 - 本番加工前に、シミュレーションデータの提示可能。
イオン注入対応表
イオン注入装置仕様
中電流イオン注入装置
| 200 keV （B） | |
|---|---|
| 200 keV （B） 注入エネルギー | 10 ～ 180keV |
| 主なイオン種 | イオン注入対応表をご参照ください |
| 装填方式 | 枚様式自動搬送 |
| セッティング | 注入角 : 0～60° / 回転角 : 0～360° (回転注入、ステップ注入可能) |
| 基板サイズ | ～ Φ6" |
| 温度 | 室温 |
| 200 keV （C） | |
|---|---|
| 注入エネルギー | 10 ～ 190keV |
| 主なイオン種 | イオン注入対応表をご参照ください |
| 装填方式 | 枚様式手動装填 |
| セッティング | 注入角 : 0°又は7° (固定) / 回転角 : 0～360 |
| 基板サイズ | ～ Φ4" (高温はΦ3"まで) |
| 温度 | 室温 ～ 600℃ |
| 400 keV | |
|---|---|
| 注入エネルギー | 30～350keV (2価イオンの利用で700keVまで加速可能) |
| 主なイオン種 | イオン注入対応表をご参照ください |
| 装填方式 | 枚様式自動装填 |
| セッティング | 注入角 : 0～60° / 回転角 : 0～360° |
| 基板サイズ | ～ Φ6" (高温はΦ5"まで) |
| 温度 | 室温 ～ 600℃ |
高エネルギーイオン注入装置
| 8MeV | |
|---|---|
| 注入エネルギー | 1.0 ～ 8MeV |
| 主なイオン種 | Aｌ, B, C, Fe |
| 装填方式 | 枚様式手動搬送 |
| セッティング | 注入角 : 0°又は7° (固定) / 回転角 : 0～360 |
| 基板サイズ | ～ Φ3" |
| 温度 | 室温 ～ 600℃ |
高温高速アニール装置
| 加熱温度 | ～1800℃（最大加熱温度まで、約2分で到達） |
|---|---|
| 雰囲気 | Ar 又は N2ガスフロー |
| 基板種類 | SiC, GaN 等 |
| 基板サイズ | ～ Φ4" (小片サンプルも対応可能) |
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