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フォトリソ・エッチング加工のご案内
協同インターナショナルの提供する半導体フォトリソグラフィー・エッチング受託加工サービスは、開発コストや開発スピードの負担を低減させ、製品開発の積極的支援を行っております。
回路形成/テストパターン製作/表面改質/評価テスト/条件確認/と言った様々な要求に対してRIEやウェットエッチング、イオンミリングの技術で対応いたします。
また近年のパターンに求められる深堀りやナノインプリント技術に必要な型の作成にはＩＣＰやD-RIEで対応いたします。更に膜形成やエッチング以外にも各種基板の提供から露光やアッシングプロセスに至るまで広範囲にわたって微細加工技術を支援いたします。
エッチング受託加工の特徴
- ウェットエッチングﾞ、ドライエッチングの受託加工が可能です。
- ドライエッチングではRIE、ICP、DeepRIEの加工が可能です。（→エッチング装置仕様へ）
- 犠牲層エッチング（HFベーパーエッチング）も加工可能です。（→SEM写真へ）
- Si（シリコン）ウエハを中心にガラス、一部メタルエッチングへの受託加工が可能です。（→SEM写真へ）
- フォトリソ工程は仕様に応じてコンタクト・ステッパー・EB描画の選択が可能です。
- グレースケールマスクを利用した、3D形状パターンのフォトリソグラフィ・エッチングも受託加工可能です。
- イオンミリングでの加工が可能です。
加工サービス一覧
豊富な加工実績と各種加工方法にて、様々なご要望にお応え致します。
| 工程 | 種類 | 製法、装置 | 備考 | 基板サイズ |
|---|---|---|---|---|
| 成膜 | 絶縁膜 形成 | 熱酸化処理 | 膜厚～3µm対応可能 | Φ2"～Φ300 |
| AP-CVD(常圧酸化膜) | SiO2、PSG、NSGなど | Φ4"、Φ5" | ||
| LP-CVD(低圧CVD) | Poly Siなど | Φ2"～Φ4"、Φ6" | ||
| PE-CVD(プラズマCVD) | SiO2、SiNなど | Φ2"～Φ8" | ||
| 金属膜 絶縁膜 形成 | スパッタリング(PVD) | 金属、合金、酸化膜、窒化膜、 特殊材料など | Φ2"～Φ300、 角基板 |
|
| 蒸着 | 金属、合金、酸化膜、窒化膜、 特殊材料など | Φ2"～Φ300、 角基板 |
||
| 電解・無電解メッキ | 電解メッキ：Ni、Cu、Au、SnAg 無電解メッキ：Ni、Cu、Au | Φ6、Φ8" | ||
| パターニング | フォトリソ 加工 （レジスト塗布、 露光、現像） |
スピンコーター | ポジレジスト、ネガレジスト | Φ2"～Φ8" |
| コンタクトアライナー | 加工能力 3µm以上 | Φ2"～Φ8" | ||
| 両面アライナー(g線) | 加工能力 1µm以上 | Φ4" | ||
| ステッパー(i線) | 加工能力 0.5µm以上 | Φ3"、Φ4" Φ6"、Φ8" |
||
| ナノインプリント | 転写レジスト（ナノオーダー） | 要相談 | ||
| EB描画 | 加工能力 50nm以上 | 要相談 | ||
| リフトオフ | リフトオフ | 加工能力 5µm以上 | Φ2"～Φ6" | |
| エッチング | ドライエッチング | 平行平板RIE | Siエッチング 石英エッチング | Φ2"～Φ8"、 角基板 |
| ICP-RIE | Siエッチング 石英エッチング | Φ4"、Φ6" | ||
| 犠牲層エッチング | Si、SiO2 | Φ2"～Φ6" | ||
| ウェットエッチング | TMAH、KOH | 各種材質にあったエッチング液を選択 | Φ2"～Φ8" | |
| HF | ||||
| 各種金属膜エッチング | ||||
| イオン注入 | イオン注入 | 中電流イオン注入 高エネルギーイオン注入 |
60種以上のドーピングが可能 | Φ3"～Φ6" |
| アニール | 高温高速アニール | 加熱温度MAX1800℃ | Φ3、Φ4" | |
| 接合 | 基板接合 | 陽極接合 | ガラス＋シリコンの接合 | Φ3" |
| 表面活性化接合 | 異種基材の接合 | 要相談 | ||
| 研磨 | ウェハ研磨 | CMP | 金属膜：Au、Pｔ、Cu等 酸化膜：TEOS、SiO2等 |
Φ2"～Φ300、 角基板 |
| 分析 | 表面分析 微少領域形能観察 熱分析 |
SIMS、ESCA、TEM 等 | 各種受託分析サービス | 要相談 |
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TEL：044-852-7575（電子部）
FAX：044-854-1979（代）
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〒216-0033
神奈川県川崎市宮前区宮崎2-10-9
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