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電子部
TEL)044-852-7575
FAX)044-854-1979

タイトル「オールシリコン貫通電極、マイクロミラーアレイ、RF-MEMS、光MEMSなど」:Silex Microsystemsとの提携により、実績あるMEMSファウンドリーサービスを受託します。

SilexロゴスウェーデンのMEMSファウンドリーSilex Microsystems社との提携により、
お客様にて設計したMEMSデバイスの量産に対応します。

Silex Microsystems社について
自社製品を持たない、"Pure Play"なMEMSファウンドリー
豊富なSi微細加工実績に基づき、独自構造VIAなどのパターン形成やウェハ接合など最適なプロセスや材料を提案いたします。

MEMS専用 6インチ/8インチウエハ 加工設備を保有。
加工設備一覧はこちらをご覧下さい。
20カ国 75社以上の実績。
実績のある分野:ライフサイエンス、通信、IT、産業用途、科学技術用途
実績のあるアプリケーション:RF-MEMS、TSV(Si貫通電極)、マイクロミラーアレイ、光スイッチ、インクジェットプリンタヘッド、カンチレバー、圧力センサ、加速度センサ等。
実績の詳細はこちらをご覧下さい。
RF-MEMS加工例 WLPウェハバンピング加工例
Silexロゴ

オールシリコン貫通電極
低抵抗Si(シリコン)ウェハをDRIE加工、絶縁加工による、母材と同じSiのVIA電極を持つウェハ(メタルトレンチ不要)。本技術を採用する事により、低コスト&高歩留まりの実装パッケージングが可能となります。
(1) オールSi構造のため熱膨張差が少ない、メタル電極
埋め込みが不要
(2) 高温耐久性(〜1000)、真空封止パッケージングが可能
(3) CMOデバイスとMEMSデバイスのウェハレベルでの実装・
パッケージングが可能
用途
・ジャイロ・加速度センサー
・車載用センサー
・マイクロミラーデバイス
オールシリコン貫通電極 オールシリコン貫通電極構造説明
*その他 TSV(Si貫通電極)も、6"/8"のサイズで対応可能です。

Zero Crosstalk (寄生容量遮断構造)
TSITM技術を応用することで実現。
MEMSデバイス−デジタルデバイス間をダブルトレンチにより完全に分離し、クロストーク“ゼロ”を可能にしました。
Zero Crosstalk構造説明

マイクロミラーアレイ
DRIEエッチング加工層のウェハレベルボンディングによって実現したミラーデバイス。
Silex Microsystems社独自技術である、ウェハVIA技術を応用。
バンプによって、ミラーアレイをCMOS上にフリップチップマウントする事が可能。
マイクロミラーアレイSEM マイクロミラーアレイ構造説明

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