絶縁膜特性データ｜協同インターナショナル

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タイトル「絶縁膜特性データ」

C-V測定

試料番号		標準I	標準II	標準III	レジスト用
膜厚 (nm)	(1) 25～35mm	213	210	105	185
	(2) 50～60mm	215	210	108	187
	(3) 75～85mm	213	209	105	183
	(4) 100～110mm	189	189	92	168
比誘電率	(1) 25～35mm	3.88	4.03	3.93	3.92
	(2) 50～60mm	3.82	3.95	4.01	4.02
	(3) 75～85mm	3.94	4.13	4.03	3.90
	(4) 100～110mm	3.93	3.96	4.06	3.99
誘電正接 tan	(1) 25～35mm	9.42E-03	8.19E-03	0.062	0.055
	(2) 50～60mm	3.98E-02	2.61E-02	0.053	0.033
	(3) 75～85mm	4.17E-02	2.32E-02	0.059	0.032
	(4) 100～110mm	6.29E-03	2.35E-02	0.066	0.044

	膜厚および電極面積の測定誤差が3%程度とすると、比誘電率の測定結果の誤差範囲は0.15程度である。
	比誘電率は全て、石英の値とほぼ同じである。
	誘電正接の試料間の差は小さく、標準試料（CVD-SiO2）と比べ、いずれも同程度である。

C-V測定結果のグラフ（SiO2比誘電率）

C-V測定結果のグラフ（SiO2誘電正接）

I-V測定

I-V　標準I、標準II　（TR6147：0～100V)

I-V測定結果グラフ（(1)、(2)とも110Vまでリーク電流の増加や絶縁破壊は発生しない）

(1)、(2)とも110Vまでリーク電流の増加や絶縁破壊は発生しなかった。

I-V　標準I、標準II　（HP4339A　1000Vmax)

I-V測定結果標準Iグラフ（HP4339A　1000Vmax)

I-V測定結果標準IIグラフ（HP4339A　1000Vmax)

I-V　（HP6143：0～110V)

試料番号	標準I	標準II	標準III	レジスト用
(1) 25～35mm	11.7	11.4	6.8	5.5
(2) 50～60mm	11.6	10.2	5.2	10.7
(3) 75～85mm	10.8	12.0	6.9	10.9
(4) 100～110mm	9.5	12.2	11.3	10.1

	標準I、標準IIの各4箇所とも酸化珪素膜として良好な耐圧を示す。試料間で明確な差異は見られない。
	標準IIIの(4)はSiO2としてほぼ良好な耐圧を示すが、(1)～(3)は耐圧が低い。
	レジスト用の(1)は耐圧が低いが、(2)～(4)は良好な耐圧を示す。

I-V測定結果のグラフ（耐圧）

スパッタ
リング
装置仕様

ターゲット
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データ

ITO透過率
データ

パワー
デバイス用
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