成膜受託解析・分析｜協同インターナショナル

電子部
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各種材料(合成石英、シリコンウェーハー等)上に成膜された種々の材質の膜性状を最新分析装置で調査致します。

分析装置

FE-SEM　超分解能電解放射SEM

測定原理

試料表面に電子線を照射し、発生する2次電子像または反射電子像を観察します。

特徴

	倍率	：	～×80万倍
	元素の定性及び定量		(点、面内分布)

適用分野

磁気ヘッド等の薄膜多層形成試料の断面層構造観察によるスパッタ工程品質管理等

分析装置

－ESCA 走査型X線光電子分光分析器

測定原理

特定エネルギーのX線を試料表面に照射すると、極表面（深さ数nm）から元素毎に固有のエネルギーを持った光電子が放出されます。そのエネルギーと強度から元素の種類と量を特定します。さらに、元素の状態により光電子のエネルギーがわずかに変化する現象を利用して状態分析が可能です。

特徴

検出可能元素	：	Li以降の全元素
検出下限	：	0.1～1原子%(元素により異なる）
X線ビーム	：	MIN10
エネルギー分解能	：	MAX0.5eV
深さ方向分析	：	1nm/min～40nm/min
絶縁物分析は容易
マッピング分析可能

適用分野

金属、半導体、無機、有機、高分子材料等

分析装置

FE-AES 電解放射走査型オージェ電子分光分析装置

測定原理

電子ビームを試料表面に照射すると、極表面（深さ数ｎｍ）から元素毎に固有のエネルギーを持ったオージェ電子が放出されます。そのエネルギーと強度から元素の種類と量を特定します。照射する電子ビームを細く絞ることで、最小40nm

程度までの微小領域分析が可能です。

特徴

検出可能元素	：	Li以降の全元素
検出下限	：	0.1～1原子%(元素により異なる）
深さ方向分析	：	1nm/min～ 100nm/min
マッピング分析	：	1,000～数万倍の任意倍率で可能

適用分野

金属、半導体
･GaAs/AlAs多層膜の深さ方向分析
･ＦＩＢ加工した薄膜の断面線分析

分析装置

TOF-SIMS 飛行時間型二次イオン質量分析装置

測定原理

固体試料表面に微小に絞ったGa照射すると、スパッタリングによって試料最表面（深さ数Å程度）を構成する原子や分子がイオン化され、二次イオンとして放出される。この二次イオンを飛行時間型質量分析器により高分解能で測定します。

特徴

検出質量範囲	：	高質量分解能で10,000まで
有機物や金属	：	有機イオンを検出可能
空間分解能	：	120nm以下
検出深さ	：	最表面原子層から100nm程度まで
全イオン同時検出	：	全質量同時検出
絶縁物分析は容易

適用分野

金属、半導体、無機、有機、高分子材料の最表面化学構造解析、元素・化学種の分布像、深さ方向分析
･シランカップリング処理したCu材表面の反応性解析

各種材料(合成石英、シリコンウェーハー等)上に成膜された種々の材質の膜表面の不純物、膜中の微量不純物を最新分析装置で測定します。

分析装置

GDMS グロー放電質量分析

測定原理

試料を陰極として希ガス中でグロー放電させ、スパッタリングされた試料表面の原子を放電プラズマ中でイオン化し、そのイオンを高分解能質量分析計で検出します。

特徴

固体試料（高純度金属、半導体材料、セラミックス等）の直接分析が可能
検出感度	：	pg(ピコグラム 10-12ｇ)／ｇレベル
ダイナミックレンジが広い（11桁程度）
標準試料無しで、半定量分析可能
オーダーでの深さ方向分析が可能（分解能：0.1）
同位体比測定が可能

適用分野

・半導体関連材料（石英、シリコン等）表面不純物分析
・単結晶及び多結晶シリコン、合成石英中の不純物分析
・高純度金属、セラミックス(アルミナ, 酸化チタン, 炭化珪素等)の微量不純物分析
・各種薄膜中不純物の深さ方向分析

各種材料(合成石英、シリコンウェーハー等)上に成膜された種々の材質の膜について、下記信頼性評価試験を行います。その他の評価試験も可能ですので、ご相談下さい。

試験名	スクラッチ試験	ホール特性評価
内容	薄膜の下地との密着性	半導体薄膜およびバルクのＰＮ判定・キャリア濃度・移動度

絶縁性特性
データ

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