 
 電子部
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| RIE |
| 装置名 |
EXAM |
エッチング
方式 |
RIE
（平行平板型、CCP） |
| 基板サイズ |
 230mm以内 |
| 基板温度 |
20℃ |
| 電源 |
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| ガス種 |
SF6、CF4、CHF3、O2、Ar |
| その他 |
- |
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| ICP |
| 装置名 |
SID-1246 |
エッチング
方式 |
RIE
（バイアス独立型、ICP） |
| 基板サイズ |
4インチ又は6インチ |
| 基板温度 |
-10℃〜40℃ |
| 電源 |
| 高周波 |
： |
13.56MHz、max 2kW |
| 低周波 |
： |
460kHz、max 300W |
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| ガス種 |
SF6、CF4、CHF3、O2、Ar |
| その他 |
簡易ロードロック、静電チャック |
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| ICPによるSi加工例 |
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RIEによるSi加工例
（上部レジスト付）
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| ウェットエッチングによるガラス加工例 |
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ICPによるSi加工例
（お試しモールド）
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| 酸化膜犠牲層エッチング加工例 |
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Si（シリコン）犠牲層エッチング加工例 |
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酸化膜犠牲層エッチング加工例
加工断面 |
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