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CMP加工
MEMSデバイスには半導体CMPプロセスとは異なる様々な構造・加工対象材料が検討されています。またプロセスも、埋め込み配線・STI・層間絶縁膜CMPの他、「ウェハ接合前のCMP」「SIPプラグ形成CMP」等、MEMSならではの技術が要求されています。
協同インターナショナルでは、D-Processとの提携により、MEMS向けCMPにおいて、高い専門性を持ち、かつ関連工程も含めたトータルな提案をいたします。
- 基板サイズ：チップサイズ～300mm（Φ12"）
※角型基板も対応可能。 - 基板材料：Si、Imide、Al2O3等あらゆる基板に対応。
- 面内分布性：<2%（1θ）
高い専門性とトータル解決力を両立
- Au、Ag、Al、Cu、Pt、Ni、Ni-Zn、Ta、TaN、Ti、TiN金属膜はもとより、TEOS、SiO2、PMMA、Imide等の絶縁膜・樹脂材料などに幅広く対応。
- MEMS材料・構造に対して最適なCMPプロセスを、スラリーの組成レベルから提案。
- 成膜・エッチングといった関連工程のノウハウを応用したり、合わせて受託加工をトータルに提案する事により、お客様が個別工程を複数社に出すリスクと手間を省きます。
CMP加工種類
| 金属膜 | Au、Ag、Al、Cu、Pt、Ni、Ni-Zn、Ta、TaN、Ti、TiN等 |
|---|---|
| 絶縁膜・樹脂材料 | TEOS、SiO2、PMMA、lmide 等 |
horizonorの各種材料に対する研磨速度一例
| nm/min | TEOS | Si、p-Si | Si3N4 | SiOC | メタル材料 (Al、Cu、Cr、Ni、etc) |
|---|---|---|---|---|---|
| horizonor | 250 | <1 | <1 | - | 用途、形状に合わせて、 最適な研磨レートの 調整が可能です。 |
| 200 | <1 | 180 | - | ||
| <1 | ～560 | <1 | - | ||
| 240 | 150 | 190 | 45 | ||
| <1 | <1 | <1 | 140 | ||
| 60 | <1 | <1 | 120 | ||
| 市販スラリーA | 200 | 50 | 210 | - | 調整不可能 |
| 市販スラリーB | <20 | 500 | - | - | 調整不可能 |
Cu用スラリーラインアップ（horizonorの一例）
| MEMS用 | ロジックLSI用 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| 製品名 | CSHR | CHR | CSD | CLD | |
| Cu研磨レート(nm/min) | 5500 | 2000 | 1000 | 750 | |
| Cuスタティックエッチングレート(nm/min) | 15 | 4 | 1 | <1 | |
| ディッシング＆エロージョン(nm) | 100µmライン | 300～500 | 100 | 60 | 30 |
| 1µmライン | 100 | 20 | 10 | <5 | |
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