 
 電子部
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MEMSデバイスには半導体CMPプロセスとは異なる様々な構造・加工対象材料が検討されています。またプロセスも、埋め込み配線・STI・層間絶縁膜CMPの他、「ウェハ接合前のCMP」「SIPプラグ形成CMP」等、MEMSならではの技術が要求されています。
 協同インターナショナルでは、D-Processとの提携により、MEMS向けCMPにおいて、高い専門性を持ち、かつ関連工程も含めたトータルな提案をいたします。
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Au、Ag、Al、Cu、Pt、Ni、Ni-Zn、Ta、TaN、Ti、TiN金属膜はもとより、TEOS、SiO2、PMMA、Imide等の絶縁膜・樹脂材料などに幅広く対応。 |
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MEMS材料・構造に対して最適なCMPプロセスを、スラリーの組成レベルから提案。 |
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成膜・エッチングといった関連工程のノウハウを応用したり、合わせて受託加工をトータルに提案する事により、お客様が個別工程を複数社に出すリスクと手間を省きます。 |
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| 金属膜 |
Au、Ag、Al、Cu、Pt、Ni、Ni-Zn、Ta、TaN、Ti、TiN等 |
| 絶縁膜・樹脂材料 |
TEOS、SiO2、PMMA、lmide 等 |
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| nm/min |
TEOS |
Si、p-Si |
Si3N4 |
SiOC |
メタル材料
(Al、Cu、Cr、Ni、etc) |
| horizonor |
250 |
<1 |
<1 |
- |
用途、形状に合わせて、
最適な研磨レートの
調整が可能です。 |
| 200 |
<1 |
180 |
- |
| <1 |
〜560 |
<1 |
- |
| 240 |
150 |
190 |
45 |
| <1 |
<1 |
<1 |
140 |
| 60 |
<1 |
<1 |
120 |
| 市販スラリーA |
200 |
50 |
210 |
- |
調整不可能 |
| 市販スラリーB |
<20 |
500 |
- |
- |
調整不可能 |
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MEMS用 |
ロジックLSI用 |
| 製品名 |
CSHR |
CHR |
CSD |
CLD |
| Ｃｕ研磨レート(nm/min) |
5500 |
2000 |
1000 |
750 |
| Ｃｕスタティックエッチングレート(nm/min) |
15 |
4 |
1 |
<1 |
| ディッシング＆エロージョン(nm) |
100umライン |
300〜500 |
100 |
60 |
30 |
| 1umライン |
100 |
20 |
10 |
<5 |
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|
12"）
）
